CSD17577Q3A

خصائص المنتج

الصانع:	شركة Texas Instruments
الحزمة / القضية:	VSONP-8
عدد القنوات:	1 قناة
مسلسل:	CSD17577Q3A
نوع المنتج:	MOSFET

إرسال الاستفسار

التصنيف: شركة Texas Instruments

الوصف
مراجعات (0)

الصانع:	شركة Texas Instruments
فئة المنتج:	MOSFET
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	VSONP-8
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Id – Continuous Drain Current:	83 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	4.8 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1.1 V
Qg – Gate Charge:	27 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	53 W
Channel Mode:	Enhancement
اسم تجاري:	NexFET
مسلسل:	CSD17577Q3A
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	شركة Texas Instruments
Configuration:	Single
Fall Time:	4 ns
Forward Transconductance – Min:	76 S
ارتفاع:	0.9 mm
طول:	3.15 mm
نوع المنتج:	MOSFET
Rise Time:	31 ns
كمية حزمة المصنع:	2500
تصنيف فرعي:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	4 ns
عرض:	3 mm
وحدة الوزن:	0.000977 oz

معلومات اكثر

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

CSD17577Q3A

معلومات اكثر

NexFET™ Power MOSFETs

المراجعات

كن أول من يقيم “CSD17577Q3A” إلغاء الرد

منتجات ذات صلة

تسجيل الدخول