APT5010LVRG

خصائص المنتج

التصنيف: رقاقة

الصانع:	Microchip
فئة المنتج:	MOSFET
Technology:	Si
نمط التركيب:	من خلال ثقب
الحزمة / القضية:	TO-247-3
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	500 V
Id – Continuous Drain Current:	47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	100 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg – Gate Charge:	470 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	520 W
Channel Mode:	Enhancement
التعبئة والتغليف:	أنبوب
ماركة:	Microchip Technology
Configuration:	Single
نوع المنتج:	MOSFET
كمية حزمة المصنع:	1
تصنيف فرعي:	MOSFETs
وحدة الوزن:	0.211644 oz

لا توجد مراجعات بعد.