TC6320K6-G

خصائص المنتج

التصنيف: رقاقة

الصانع:	Microchip
فئة المنتج:	MOSFET
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	DFN-8
Transistor Polarity:	N-Channel, P-Channel
عدد القنوات:	2 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id – Continuous Drain Current:	1 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	7 Ohms, 8 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	–
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Qg – Gate Charge:	–
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	–
Channel Mode:	Enhancement
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Fall Time:	15 ns, 15 ns
Forward Transconductance – Min:	400 mS, 400 mS
ارتفاع:	1.37 mm
طول:	4.89 mm
حساسة للرطوبة:	نعم
منتج:	MOSFET Small Signals
نوع المنتج:	MOSFET
Rise Time:	15 ns, 15 ns
كمية حزمة المصنع:	3300
تصنيف فرعي:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns, 20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns, 10 ns
عرض:	3.91 mm
وحدة الوزن:	0.005686 oz

لا توجد مراجعات بعد.